MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-182
- Referência do fabricante:
- SIRA18DDP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 653-182
- Referência do fabricante:
- SIRA18DDP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SIRA18DDP | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00683Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 17W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.04mm | |
| Anchura | 6.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SIRA18DDP | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00683Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 17W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.04mm | ||
Anchura 6.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TH
El MOSFET de canal N de Vishay está optimizado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 30 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para proporcionar un RDS(on) ultrabajo, conmutación rápida y un excelente rendimiento térmico.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
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