MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SI2122DS-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 2.17 A, Mejora, PowerPAK de 3 pines
- Código RS:
- 653-085
- Referência do fabricante:
- SI2122DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
405,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Última(s) 3000 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,135 € | 405,00 € |
*preço indicativo
Produto Alternativo
Este produto atualmente não está disponível. Sugerimos a seguinte alternativa.
1 Tira de 1
0,28 €
- Código RS:
- 653-085
- Referência do fabricante:
- SI2122DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SI2122DS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.160Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SI2122DS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.160Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Links relacionados
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 2.17 A, Mejora, PowerPAK de 3 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SISS5812DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 42.8 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SIS5712DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SIS4406DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 62.8 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SIRA10DDP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 96 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SIRA18DDP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SIJ4406DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 78 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SIB4122DK-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 5.9 A, Mejora, PowerPAK de 7 pines