MOSFET, N-Canal Infineon IGT65R025D2ATMA1, VDSS 650 V, ID 70 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-969
- Referência do fabricante:
- IGT65R025D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 351-969
- Referência do fabricante:
- IGT65R025D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IGT65 | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.03Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 236W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IGT65 | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.03Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 236W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET de la serie IGT65 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 70 A - IGT65R025D2ATMA1
Características y ventajas:
• Capacidad de drenaje continuo de 70 A para una manipulación de carga sostenida
• Rds(on) de 0.03 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia máxima de 236 W para capacidad térmica
• Carga de puerta típica de 11 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Valor nominal de puerta de 10 V compatible con tensiones de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Apto para etapas de control de motores en sistemas de alta tensión
• Se utiliza con convertidores dc-dc de alta tensión para la conversión de energía
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura en electrónica de potencia
• Adecuado para distribución de energía de telecomunicaciones y fuentes auxiliares
¿Qué tipo de encapsulado se utiliza y cómo afecta al montaje de la placa?
¿Qué consideraciones deben tenerse sobre el accionamiento de puerta para un funcionamiento fiable?
¿Cómo influye el rango de temperatura en las ubicaciones de despliegue?
¿Qué estrategias de gestión térmica se recomiendan para un funcionamiento continuo?
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