MOSFET, N-Canal Infineon IGT65R025D2ATMA1, VDSS 650 V, ID 70 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
351-969
Referência do fabricante:
IGT65R025D2ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

IGT65

Encapsulado

PG-HSOF-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.03Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

236W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC for Industrial Applications

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY

MOSFET de la serie IGT65 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 70 A - IGT65R025D2ATMA1


Este MOSFET es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para entornos industriales exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado de montaje en superficie adecuado para placas compactas. El dispositivo está diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en las que se requiere una alta tolerancia de tensión y un manejo de corriente continua robusto.

Características y ventajas:


• Resistencia al drenaje de 650 V para aplicaciones de conmutación de alta tensión
• Capacidad de drenaje continuo de 70 A para una manipulación de carga sostenida
• Rds(on) de 0.03 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia máxima de 236 W para capacidad térmica
• Carga de puerta típica de 11 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Valor nominal de puerta de 10 V compatible con tensiones de accionamiento de puerta estándar

Aplicaciones


• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado e inversores industriales
• Apto para etapas de control de motores en sistemas de alta tensión
• Se utiliza con convertidores dc-dc de alta tensión para la conversión de energía
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura en electrónica de potencia
• Adecuado para distribución de energía de telecomunicaciones y fuentes auxiliares

¿Qué tipo de encapsulado se utiliza y cómo afecta al montaje de la placa?


El dispositivo se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PG-HSOF-8 que facilita la soldadura por reflujo automatizada y diseños de PCB compactos al tiempo que proporciona varios cables térmicos y eléctricos.

¿Qué consideraciones deben tenerse sobre el accionamiento de puerta para un funcionamiento fiable?


Mantenga el accionamiento de la puerta dentro de ±10 V y proporcione una ruta de retorno de baja impedancia para minimizar transitorios de conmutación y garantizar una temporización de encendido y apagado predecible.

¿Cómo influye el rango de temperatura en las ubicaciones de despliegue?


El rango de funcionamiento nominal de -55 °C a 150 °C permite la colocación en carcasas industriales de arranque en frío y altas temperaturas sin reducir la capacidad de conmutación básica.

¿Qué estrategias de gestión térmica se recomiendan para un funcionamiento continuo?


Utilice una zona de cobre adecuada o un disipador térmico dedicado debajo del encapsulado, asegúrese de una buena conducción térmica de la placa de circuito impreso y considere el flujo de aire para mantener las temperaturas de unión dentro de límites seguros.

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