MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF3MR12KM1HPHPSA1, VDSS 1200 V, ID 280 A, Mejora
- Código RS:
- 349-316
- Referência do fabricante:
- FF3MR12KM1HPHPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 unidade)*
675,54 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 8 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 675,54 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-316
- Referência do fabricante:
- FF3MR12KM1HPHPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 280A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.32mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 5.59V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | 60749, 60068, IEC 60747 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 280A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.32mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 5.59V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares 60749, 60068, IEC 60747 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- HU
Este módulo de medio puente MOSFET CoolSiC de 62 mm de Infineon está diseñado en el conocido encapsulado de 62 mm, que integra la tecnología de chip M1H para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Este módulo ofrece una alta densidad de corriente, por lo que es ideal para sistemas con limitaciones de espacio que requieren un rendimiento robusto. Con bajas pérdidas de conmutación, garantiza mayor eficacia a altas frecuencias de conmutación. La fiabilidad superior del óxido de puerta aumenta la durabilidad, lo que prolonga la vida operativa del módulo en condiciones exigentes.
Minimiza los esfuerzos de refrigeración
Reducción de volumen y tamaño
Reducción de costes del sistema
Diseño simétrico del módulo
Técnica de fabricación estándar
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F411MR12W2M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF3MR12KM1HHPSA1, VDSS 1200 V, ID 185 A, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS33MR12W1M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF11MR12W2M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 75 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F48MR12W2M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF11MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 75 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F411MR12W2M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 75 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS13MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 50 A, EasyPACK, Mejora