MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F411MR12W2M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora
- Código RS:
- 349-250
- Referência do fabricante:
- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-250
- Referência do fabricante:
- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | F4-11MR12W2M1H_B70 | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 23.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | 60749, IEC 60747, 60068 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie F4-11MR12W2M1H_B70 | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares 60749, IEC 60747, 60068 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Módulo MOSFET de Infineon EasyPACK 2B CoolSiC de cuatro paquetes, 1200 V, 11 mΩ G1 con NTC, material de interfaz térmica (TIM) preaplicado y tecnología de contacto PressFIT. Este MOSFET presenta el mejor encapsulado de su categoría con una altura compacta de 12 mm, lo que garantiza un rendimiento óptimo a la vez que ahorra espacio. Utiliza materiales de vanguardia de banda prohibida ancha, lo que mejora la eficiencia energética y la gestión térmica. El diseño presenta una inductancia de dispersión del módulo muy baja, lo que reduce las pérdidas de potencia y mejora la velocidad de conmutación.
Excelente eficiencia del módulo
Ventajas del coste del sistema
Mejora de la eficiencia del sistema
Reducción de los requisitos de enfriamiento
Permite una mayor frecuencia
Aumento de la densidad de potencia
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