MOSFET Infineon, N-Canal FF3MR12KM1HHPSA1, VDSS 1.2 kV, ID 185 A, Mejora
- Código RS:
- 349-315
- Referência do fabricante:
- FF3MR12KM1HHPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-315
- Referência do fabricante:
- FF3MR12KM1HHPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 185A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.32mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 5.59V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 185A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.32mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 5.59V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- HU
Este módulo de medio puente MOSFET CoolSiC de 62 mm de Infineon está alojado en el famoso encapsulado de 62 mm, que combina la última tecnología de chip M1H para un rendimiento óptimo. Este módulo proporciona una alta densidad de corriente, por lo que es ideal para aplicaciones que requieren soluciones compactas pero potentes. Ofrece bajas pérdidas por conmutación, lo que garantiza un funcionamiento eficaz incluso a altas frecuencias, y brinda una fiabilidad superior del óxido de puerta para mayor durabilidad en el tiempo.
Minimiza los esfuerzos de refrigeración
Reducción de volumen y tamaño
Reducción de costes del sistema
Diseño simétrico del módulo
Técnica de fabricación estándar
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