MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF6MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 150 A, EasyDUAL, Mejora
- Código RS:
- 348-978
- Referência do fabricante:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 unidade)*
358,76 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Informação de stock atualmente indisponível
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 358,76 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 348-978
- Referência do fabricante:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Encapsulado | EasyDUAL | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Encapsulado EasyDUAL | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Este módulo MOSFET de Infineon de medio puente EasyDUAL 2B CoolSiC para ofrecer soluciones de alimentación de alto rendimiento con el mejor encapsulado de su categoría, con una altura compacta de 12 mm para un uso eficiente del espacio. El módulo incorpora materiales de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), que proporcionan una eficiencia, fiabilidad y rendimiento térmico superiores. Con una inductancia parásita del módulo muy baja, garantiza unas pérdidas de potencia minimizadas y una dinámica de conmutación mejorada. El módulo está alimentado por el MOSFET CoolSiC Gen 1 mejorado y ofrece gestión térmica y eficiencia mejoradas, por lo que es ideal para aplicaciones de potencia exigentes.
Excelente eficiencia del módulo
Ventajas del coste del sistema
Mejora de la eficiencia del sistema
Reducción de los requisitos de enfriamiento
Permite una mayor frecuencia
Aumento de la densidad de potencia
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF4MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 200 A, EasyDUAL, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F411MR12W2M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF3MR12KM1HPHPSA1, VDSS 1200 V, ID 280 A, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF3MR12KM1HHPSA1, VDSS 1200 V, ID 185 A, Mejora
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon FF6MR20W2M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 150 A, Mejora, AG-EASY2B
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F417MR12W1M1HB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 45 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F48MR12W2M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF11MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 75 A, EasyPACK, Mejora