MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF6MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 150 A, EasyDUAL, Mejora
- Código RS:
- 348-978
- Referência do fabricante:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 348-978
- Referência do fabricante:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Encapsulado | EasyDUAL | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Encapsulado EasyDUAL | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Este módulo MOSFET de Infineon de medio puente EasyDUAL 2B CoolSiC para ofrecer soluciones de alimentación de alto rendimiento con el mejor encapsulado de su categoría, con una altura compacta de 12 mm para un uso eficiente del espacio. El módulo incorpora materiales de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), que proporcionan una eficiencia, fiabilidad y rendimiento térmico superiores. Con una inductancia parásita del módulo muy baja, garantiza unas pérdidas de potencia minimizadas y una dinámica de conmutación mejorada. El módulo está alimentado por el MOSFET CoolSiC Gen 1 mejorado y ofrece gestión térmica y eficiencia mejoradas, por lo que es ideal para aplicaciones de potencia exigentes.
Excelente eficiencia del módulo
Ventajas del coste del sistema
Mejora de la eficiencia del sistema
Reducción de los requisitos de enfriamiento
Permite una mayor frecuencia
Aumento de la densidad de potencia
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