MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS13MR12W2M1HC55BPSA1, VDSS 1200 V, ID 62.5 A, EasyPACK, Mejora

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 unidade)*

396,20 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 15 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 +396,20 €

*preço indicativo

Código RS:
348-979
Referência do fabricante:
FS13MR12W2M1HC55BPSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

62.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

EasyPACK

Serie

FS13MR12W2M1H_C55

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

21.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

5.35V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
DE
Este módulo MOSFET de Infineon EasyPACK 2B CoolSiC de seis paquetes, 1200 V, 13 mΩ integra la tecnología CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1 para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Alojado en el mejor encapsulado de su categoría, con una altura compacta de 12 mm, ofrece una eficiencia de espacio óptima sin sacrificar el rendimiento. El módulo está fabricado con materiales de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), lo que garantiza una eficiencia, un rendimiento térmico y una fiabilidad superiores.

Excelente eficiencia del módulo

Ventajas del coste del sistema

Mejora de la eficiencia del sistema

Reducción de los requisitos de enfriamiento

Permite una mayor frecuencia

Aumento de la densidad de potencia

Mejor conductividad térmica del material DCB

Links relacionados