MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF11MR12W2M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 75 A, EasyPACK, Mejora
- Código RS:
- 348-975
- Referência do fabricante:
- FF11MR12W2M1HB70BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 348-975
- Referência do fabricante:
- FF11MR12W2M1HB70BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | EasyPACK | |
| Serie | FF11MR12W2M1H_B70 | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado EasyPACK | ||
Serie FF11MR12W2M1H_B70 | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Este módulo MOSFET de Infineon de medio puente EasyDUAL 2B CoolSiC combina tecnología punta con un diseño superior para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Con el mejor encapsulado de su categoría y una altura compacta de 12,25 mm, optimiza tanto el espacio como el rendimiento. El módulo utiliza material de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), lo que proporciona una mayor eficiencia energética, rendimiento térmico y fiabilidad. Su inductancia parásita del módulo muy baja minimiza las pérdidas de potencia y mejora el comportamiento de conmutación.
Excelente eficiencia del módulo
Ventajas del coste del sistema
Mejora de la eficiencia del sistema
Reducción de los requisitos de enfriamiento
Permite una mayor frecuencia
Aumento de la densidad de potencia
Mejor conductividad térmica del material DCB
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