MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF4MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 200 A, EasyDUAL, Mejora

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 unidade)*

451,98 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 18 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 +451,98 €

*preço indicativo

Código RS:
349-253
Referência do fabricante:
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

CoolSiCTM Trench MOSFET

Encapsulado

EasyDUAL

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

5.35V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
DE
El módulo de medio puente MOSFET EasyDUAL 2B CoolSiC de Infineon es un módulo de 1200 V que presenta una baja resistencia de puerta G1 de 4 mΩ y está equipado con un sensor de temperatura NTC integrado para un control térmico preciso. También incluye material de interfaz térmica preaplicado para una mejor disipación térmica y utiliza la tecnología de contacto PressFIT, lo que garantiza unas conexiones eléctricas fiables y eficientes. Este módulo está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en las que la conversión de potencia y la gestión térmica eficientes son fundamentales.

Montaje robusto gracias a las abrazaderas de montaje integradas

Tecnología de contacto PressFIT

Sensor de temperatura NTC integrado

Material de interfaz térmica preaplicado

Links relacionados

Recently viewed