MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1, VDSS 1200 V, ID 65 A, Bandeja, Mejora
- Código RS:
- 349-248
- Referência do fabricante:
- F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-248
- Referência do fabricante:
- F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 65A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | EasyPACK | |
| Encapsulado | Bandeja | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747, IEC 60068, RoHS, IEC 60749 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 65A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie EasyPACK | ||
Encapsulado Bandeja | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747, IEC 60068, RoHS, IEC 60749 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Módulo MOSFET de Infineon EasyPACK 2B CoolSiC de 3 niveles en topología NPC2 1200 V, 11mΩ G1 con NTC, material de interfaz térmica preaplicado y tecnología de contacto PressFIT. Este MOSFET presenta el mejor encapsulado de su categoría, con una altura compacta de solo 12 mm, diseñado para un rendimiento óptimo en electrónica de potencia. Utiliza materiales de vanguardia de banda ancha, lo que mejora su eficiencia y fiabilidad. El diseño incorpora una inductancia parásita del módulo muy baja, lo que garantiza una pérdida de potencia mínima y un comportamiento de conmutación mejorado.
Excelente eficiencia del módulo
Ventajas del coste del sistema
Mejora de la eficiencia del sistema
Reducción de los requisitos de enfriamiento
Permite una mayor frecuencia
Aumento de la densidad de potencia
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