Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPT020N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 297 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-120
- Referência do fabricante:
- IPT020N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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| 20 - 198 | 5,265 € | 10,53 € |
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- Código RS:
- 349-120
- Referência do fabricante:
- IPT020N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 297A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 135V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 159nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 297A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 135V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 159nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de nivel normal y canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia eficientes. Ofrece una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora el rendimiento general. Con un excelente producto carga de puerta x RDS(on) (FOM), garantiza una eficiencia de conmutación superior. El MOSFET también tiene una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja para una mayor eficiencia durante la conmutación.
Optimizado para accionamientos de motor y aplicaciones alimentadas con batería
Revestimiento de plomo: sin Pb
Conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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