Referência do fabricante

Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG020N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 297 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines

Código RS:: 349-136
Referência do fabricante:: IPTG020N13NM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG020N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 297 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines

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Código RS:: 349-136
Referência do fabricante:: IPTG020N13NM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	Transistor de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	297A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	135V
	Encapsulado	PG-HSOG-8
	Serie	IPT
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	2mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	395W
	Tensión directa Vf	1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	159nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto Transistor de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 297A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 135V
	Encapsulado PG-HSOG-8
	Serie IPT
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 395W
	Tensión directa Vf 1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 159nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPTG020N13NM6ATMA1

COO (País de Origem):: MY

Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 135 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para ofrecer un rendimiento muy eficaz en aplicaciones de potencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción para mayor eficiencia energética. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), garantiza un rendimiento de conmutación óptimo. El MOSFET también ofrece una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que mejora la eficacia de la conmutación. Además, es 100 % a prueba de avalancha para garantizar su fiabilidad y puede funcionar a 175 °C, por lo que es idóneo para entornos exigentes y altas temperaturas.

Optimizado para accionamientos de motor y aplicaciones alimentadas con batería

Revestimiento de plomo: sin Pb

Conforme a RoHS

Sin halógenos según IEC61249-2-21

Clasificación MSL 1 según J-STD-020

Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG020N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 297 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines

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