Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPT067N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 137 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-130
- Referência do fabricante:
- IPT067N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-130
- Referência do fabricante:
- IPT067N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 137A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 71nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 137A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 71nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 200 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas por conducción. El excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM) garantiza un rendimiento de conmutación superior, mientras que la bajísima carga de recuperación inversa (Qrr) contribuye a un funcionamiento eficiente. Con un alto índice de energía de avalancha, ofrece mayor robustez y es capaz de funcionar a 175 °C, lo que lo hace fiable incluso en entornos exigentes.
Revestimiento de plomo: sin Pb
Conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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