Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC037N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 172 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-142
- Referência do fabricante:
- ISC037N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
9,62 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 01 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,81 € | 9,62 € |
| 20 - 198 | 4,325 € | 8,65 € |
| 200 - 998 | 3,99 € | 7,98 € |
| 1000 - 1998 | 3,705 € | 7,41 € |
| 2000 + | 3,315 € | 6,63 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-142
- Referência do fabricante:
- ISC037N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 172A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 135V | |
| Serie | ISC | |
| Encapsulado | PG-TSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 82nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 172A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 135V | ||
Serie ISC | ||
Encapsulado PG-TSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 82nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia global. El transistor también ofrece un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), lo que garantiza un rendimiento de conmutación óptimo. Con una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, reduce las pérdidas de conmutación, por lo que es apto para aplicaciones de conmutación rápida. Además, el dispositivo es 100 % a prueba de avalancha, lo que garantiza su fiabilidad y robustez en condiciones exigentes.
Temperaturas de funcionamiento: 175°C
Optimizado para accionamientos de motor y aplicaciones alimentadas con batería
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
Links relacionados
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPT020N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 297 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC046N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 142 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG020N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 297 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG029N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 212 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISZ143N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 54 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IQFH55N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 451 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal ISC030N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, PG-TSON-8, Mejora de 8 pines, 1
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE046N08LM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 99 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines