Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPT60R045CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 52 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 273-2797
- Referência do fabricante:
- IPT60R045CFD7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-2797
- Referência do fabricante:
- IPT60R045CFD7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 272W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 272W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia CoolMOS CFD7 de 600 V. CoolMOS de Infineon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión y con las tecnologías de Infineon como pioneras. El último CoolMOS CFD7 es el sucesor de la serie CoolMOS CFD2 y es una plataforma optimizada adaptada a aplicaciones de conmutación suave como puente completo de desplazamiento de fase y LLC. Como resultado de una carga de compuerta reducida, la mejor carga de recuperación inversa posible y el comportamiento de desconexión mejorado, CoolMOSCFD7 ofrece la máxima eficiencia en topologías de resonancia.
Conformidad con RUSP
Carga de compuerta baja
Diodo de cuerpo ultrarrápido
Soluciones de mayor densidad de potencia
Excelente robustez de conmutación dura
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