MOSFET, N-Canal Infineon IPP60R037CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 70 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Código RS:
- 349-001
- Referência do fabricante:
- IPP60R037CM8XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
16,07 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 374 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 8,035 € | 16,07 € |
| 20 - 198 | 7,24 € | 14,48 € |
| 200 + | 6,665 € | 13,33 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-001
- Referência do fabricante:
- IPP60R037CM8XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPP | |
| Encapsulado | PG-TO220-3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 37mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 390W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPP | ||
Encapsulado PG-TO220-3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 37mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 390W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET de la serie IPP de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 70 A - IPP60R037CM8XKSA1
Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para entornos exigentes de conversión de potencia. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado de orificio pasante PG-TO220-3, lo que lo convierte en adecuado para aplicaciones de montaje en placa robustas donde se requiere gestión térmica y conmutación fiable.
Características y ventajas:
• Tensión de drenaje nominal de 600 V para conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 70 A para manejar corrientes intensas
• Rds(on) baja de 37 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 390 W para aplicaciones de potencia sostenida
• Carga de puerta de 79 nC que permite un comportamiento de conmutación predecible
• Corriente de drenaje continua de 70 A para manejar corrientes intensas
• Rds(on) baja de 37 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 390 W para aplicaciones de potencia sostenida
• Carga de puerta de 79 nC que permite un comportamiento de conmutación predecible
Aplicaciones
• Adecuado para fuentes de alimentación y etapas de convertidor
• Ideal para circuitos de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza con conjuntos de inversores de alta tensión
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta corriente
• Ideal para circuitos de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza con conjuntos de inversores de alta tensión
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta corriente
¿Qué límites de tensión de puerta debo observar para proteger el dispositivo?
La potencia nominal de puerta a fuente permite hasta 30 V
los diseños deben incluir accionamientos de puerta y protección que mantengan Vgs dentro de este límite para evitar daños.
¿Cómo resiste el dispositivo las temperaturas ambiente extremas durante el funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso tanto en condiciones de arranque en frío como en armarios de temperatura elevada con un diseño térmico adecuado.
¿Qué consideraciones de embalaje y montaje afectan al rendimiento térmico?
El formato de orificio pasante PG-TO220-3 facilita la fijación directa del disipador térmico y la soldadura de orificio pasante para una conducción térmica robusta y estabilidad mecánica.
¿Cómo se comporta el dispositivo en términos de modo de conducción de canal?
Se trata de un dispositivo de canal N de modo de mejora, que requiere un accionamiento de puerta positivo en relación con la fuente para cambiar a conducción.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 36.23 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R016CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 135 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN60R180CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 48 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R060CFD7XKSA1, VDSS 700 V, ID 36.23 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon SPP06N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
