MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 36.23 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3020
- Referência do fabricante:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-3020
- Referência do fabricante:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36.23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | IPP | |
| Encapsulado | PG-TO220-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 68nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 171W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36.23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie IPP | ||
Encapsulado PG-TO220-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 68nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 171W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
El MOSFET de superunión MOS CFD7 de 650 V frío de Infineon en un encapsulado TO-220 es ideal para topologías de resonancia en aplicaciones industriales, como servidores, telecomunicaciones, estaciones de carga solar y EV, en las que permite una mejora significativa de la eficiencia
Excelente robustez de conmutación difícil
Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus
Permite aumentar la densidad de potencia
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