MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP039N10N5AKSA1, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3017
- Referência do fabricante:
- IPP039N10N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
102,55 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 350 unidade(s) a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 2,051 € | 102,55 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-3017
- Referência do fabricante:
- IPP039N10N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PG-TO220-3 | |
| Serie | OptiMOSa5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 76nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PG-TO220-3 | ||
Serie OptiMOSa5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de Infineon en un encapsulado TO-220 es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.
Eficiencia del sistema más alta
Pérdidas de conmutación y conducción reducidas
Menos paralelismo necesario
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 36.23 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN60R180CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 48 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R037CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 70 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R190CFD7AAKSA1, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R060CFD7XKSA1, VDSS 700 V, ID 36.23 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
