MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

4,97 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Em stock
  • 500 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 82,485 €4,97 €
10 - 182,26 €4,52 €
20 - 242,21 €4,42 €
26 - 482,065 €4,13 €
50 +1,915 €3,83 €

*preço indicativo

Código RS:
273-3022
Referência do fabricante:
IPP65R190CFD7AAKSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

14A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-TO220-3

Serie

IPP65R190CFD7A

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Disipación de potencia máxima Pd

77W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

AECQ101, RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia SJ de automoción de canal N MOS frío de 650 V de Infineon. Tiene la máxima fiabilidad en el campo que cumple los requisitos de vida útil de la automoción.

Permite diseños de mayor densidad de potencia

Cartera granular disponible

Links relacionados

Recently viewed