MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R016CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 135 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Código RS:
- 349-000
- Referência do fabricante:
- IPP60R016CM8XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 135A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPP | |
| Encapsulado | PG-TO220-3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 625W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 171nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 135A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPP | ||
Encapsulado PG-TO220-3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 625W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 171nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Esta plataforma CoolMOS de 8.ª generación de Infeneon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superconexión (SJ) y de la que Infineon Technologies es pionera. La serie CoolMOS CM8 de 600 V es la sucesora de la CoolMOS 7. Combina las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, baja tendencia al ringing, diodo de cuerpo rápido implementado en todos los productos, con una extraordinaria robustez frente a la conmutación dura y excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas por conmutación y conducción extremadamente bajas del CM8 hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes.
Apto para topologías de conmutación dura y suave
Facilidad de uso y diseño rápido gracias a la baja tendencia a la oscilación
Gestión térmica simplificada gracias a nuestra avanzada técnica de fijación de chip
Apto para una amplia variedad de aplicaciones y gamas de potencia
Soluciones de mayor densidad de potencia gracias al uso de productos de menor tamaño
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