MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS33MR12W1M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, EasyPACK, Mejora
- Código RS:
- 348-981
- Referência do fabricante:
- FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 348-981
- Referência do fabricante:
- FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | EasyPACK | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60068, IEC 60749, IEC 61140, IEC 60747 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado EasyPACK | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60068, IEC 60749, IEC 61140, IEC 60747 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Este módulo MOSFET de Infineon EasyPACK 1B CoolSiC de seis paquetes está diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento y presenta el mejor encapsulado de su categoría con una altura compacta de 12,25 mm para optimizar la eficiencia del espacio. Fabricado con materiales de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), ofrece una eficiencia, un rendimiento térmico y una fiabilidad a largo plazo superiores. Gracias al MOSFET CoolSiC Gen 1 mejorado, garantiza una gestión térmica avanzada y una alta eficiencia energética en entornos exigentes.
Excelente eficiencia del módulo
Ventajas del coste del sistema
Mejora de la eficiencia del sistema
Reducción de los requisitos de enfriamiento
Permite una mayor frecuencia
Aumento de la densidad de potencia
Mejor conductividad térmica del material DCB
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