MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F433MR12W1M1HB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, EasyPACK, Mejora
- Código RS:
- 348-968
- Referência do fabricante:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 348-968
- Referência do fabricante:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | EasyPACK | |
| Serie | F4-17MR12W1M1HP_B76 | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 69.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado EasyPACK | ||
Serie F4-17MR12W1M1HP_B76 | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 69.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Módulo de Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET de cuatro paquetes, 1200 V, 33 mΩ G1 con NTC y tecnología de contacto PressFIT. Este MOSFET presenta el mejor encapsulado de su categoría con una altura compacta de 12 mm, lo que permite un uso eficiente del espacio sin comprometer el rendimiento. Incorpora materiales de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), lo que garantiza una mayor eficiencia y una mayor capacidad de manejo de la potencia. El diseño también presenta una inductancia parásita del módulo muy baja, lo que reduce la pérdida de potencia y optimiza el rendimiento de la conmutación.
Excelente eficiencia del módulo
Ventajas del coste del sistema
Mejora de la eficiencia del sistema
Reducción de los requisitos de enfriamiento
Permite una mayor frecuencia
Aumento de la densidad de potencia
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