MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F411MR12W2M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 75 A, EasyPACK, Mejora
- Código RS:
- 349-249
- Referência do fabricante:
- F411MR12W2M1HB70BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 unidade)*
358,68 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 15 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 358,68 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-249
- Referência do fabricante:
- F411MR12W2M1HB70BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | F4-11MR12W2M1H_B70 | |
| Encapsulado | EasyPACK | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie F4-11MR12W2M1H_B70 | ||
Encapsulado EasyPACK | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Módulo de Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET de cuatro paquetes, 1200 V, 11 mΩ G1 con NTC, tecnología de contacto PressFIT y cerámica de nitruro de aluminio. El MOSFET está diseñado con el mejor encapsulado de su categoría, con una altura compacta de 12,25 mm, lo que optimiza el espacio manteniendo un rendimiento excepcional. Incorpora materiales de vanguardia de banda ancha, que ofrecen una eficiencia y fiabilidad superiores en aplicaciones exigentes. El módulo está pensado con una inductancia parásita muy baja, lo que minimiza las pérdidas de potencia y mejora el rendimiento general de la conmutación.
Excelente eficiencia del módulo
Ventajas del coste del sistema
Mejora de la eficiencia del sistema
Reducción de los requisitos de enfriamiento
Permite una mayor frecuencia
Aumento de la densidad de potencia
Mejor conductividad térmica del material DCB
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF11MR12W2M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 75 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF11MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 75 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS33MR12W1M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F48MR12W2M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS13MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 50 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS13MR12W2M1HC55BPSA1, VDSS 1200 V, ID 62.5 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F433MR12W1M1HB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F417MR12W1M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 45 A, EasyPACK, Mejora