MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F48MR12W2M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, EasyPACK, Mejora
- Código RS:
- 348-969
- Referência do fabricante:
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 unidade)*
350,99 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 15 unidade(s) para enviar a partir do dia 16 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 350,99 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 348-969
- Referência do fabricante:
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | EasyPACK | |
| Serie | F4-8MR12W2M1H_B70 | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747, 60068, 60749 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado EasyPACK | ||
Serie F4-8MR12W2M1H_B70 | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747, 60068, 60749 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Módulo de Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET de cuatro paquetes, 1200 V, 8 mΩ G1 con NTC, tecnología de contacto PressFIT y cerámica de nitruro de aluminio. Este MOSFET ofrece el mejor encapsulado de su categoría con una altura compacta de 12 mm, lo que optimiza tanto el espacio como el rendimiento. Cuenta con materiales de vanguardia de banda prohibida ancha (WBG), que proporcionan una eficiencia y una potencia superiores. El diseño incorpora una inductancia parásita del módulo muy baja, lo que minimiza las pérdidas de potencia y mejora la dinámica de conmutación. Equipado con el MOSFET CoolSiC Gen 1 mejorado, ofrece un rendimiento térmico y una fiabilidad excelentes.
Excelente eficiencia del módulo
Ventajas del coste del sistema
Mejora de la eficiencia del sistema
Reducción de los requisitos de enfriamiento
Permite una mayor frecuencia
Aumento de la densidad de potencia
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF11MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 75 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF11MR12W2M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 75 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS13MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 50 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F417MR12W1M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 45 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F433MR12W1M1HB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal F48MR12W2M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 100 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS13MR12W2M1HC55BPSA1, VDSS 1200 V, ID 62.5 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS33MR12W1M1HB70BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, EasyPACK, Mejora