MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL325N4F8AG, VDSS 40 V, ID 350 A, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 330-579
- Referência do fabricante:
- STL325N4F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
1,99 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,99 € |
| 10 - 99 | 1,79 € |
| 100 - 499 | 1,66 € |
| 500 - 999 | 1,54 € |
| 1000 + | 1,37 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 330-579
- Referência do fabricante:
- STL325N4F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.85mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.85mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não aplicável
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics, diseñado en tecnología STripFET F8, presenta una estructura de puerta de zanja mejorada. Ofrece una figura de mérito de última generación con una resistencia de estado activado muy baja, capacitancias internas y carga de puerta reducidas, lo que permite una conmutación más rápida y eficiente.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja Qg
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL320N4F8, VDSS 40 V, ID 350 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 120 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET de canal N, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL160N4F8, VDSS 40 V, ID 154 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL300N4F8, VDSS 40 V, ID 290 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL300N4LF8, VDSS 40 V, ID 304 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL305N4LF8AG, VDSS 40 V, ID 304 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL145N4LF8AG, VDSS 40 V, ID 167 A, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL260N4LF7, VDSS 40 V, ID 120 A, PowerFLAT de 8 pines