MOSFET, N-Canal onsemi NVH4L032N065M3S, VDSS 650 V, ID 50 A, N, TO-247-4L de 4 pines

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Código RS:
327-808
Referência do fabricante:
NVH4L032N065M3S
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247-4L

Serie

NVH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

44mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

55nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

187W

Tensión directa Vf

4.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free, RoHS 7a

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor, EliteSiC, es un dispositivo de 650 V y 32 mΩ en el encapsulado M3S TO-247-4L. Está diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento, ofreciendo una baja resistencia a la conexión y una excelente capacidad de conmutación. Este dispositivo es ideal para su uso en sistemas de conversión de potencia de alta eficiencia, incluidas aplicaciones de automoción, industriales y de energías renovables.

Los dispositivos no contienen Pb y cumplen la directiva RoHS

Cualificado para automoción según AEC Q101

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