MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVH4L032N065M3S, VDSS 650 V, ID 50 A, N, TO-247-4L de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

13,27 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 450 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 913,27 €
10 - 9911,95 €
100 - 49911,03 €
500 - 99910,22 €
1000 +8,30 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
327-808
Referência do fabricante:
NVH4L032N065M3S
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247-4L

Serie

NVH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

44mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

187W

Tensión directa Vf

4.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

55nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free, RoHS 7a

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor, EliteSiC, es un dispositivo de 650 V y 32 mΩ en el encapsulado M3S TO-247-4L. Está diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento, ofreciendo una baja resistencia a la conexión y una excelente capacidad de conmutación. Este dispositivo es ideal para su uso en sistemas de conversión de potencia de alta eficiencia, incluidas aplicaciones de automoción, industriales y de energías renovables.

Los dispositivos no contienen Pb y cumplen la directiva RoHS

Cualificado para automoción según AEC Q101

Links relacionados

Recently viewed