MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L032N065M3S, VDSS 650 V, ID 50 A, N, TO-247-4L de 4 pines
- Código RS:
- 327-805
- Referência do fabricante:
- NTH4L032N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 327-805
- Referência do fabricante:
- NTH4L032N065M3S
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 44mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 187W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 44mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 187W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor, EliteSiC, es un dispositivo de 650 V y 32 mΩ en el encapsulado M3S TO247-4L. Presenta una carga de puerta ultrabaja (QG(tot) = 55 nC) y conmutación de alta velocidad con baja capacitancia (Coss = 114 pF). El dispositivo ha sido probado al 100% contra avalanchas, no contiene haluros y cumple la directiva RoHS con la exención 7a. También está libre de Pb en la interconexión de segundo nivel, lo que lo hace adecuado para aplicaciones exigentes de electrónica de potencia.
Alta eficiencia y pérdidas de conmutación reducidas
Funcionamiento robusto y fiable en entornos difíciles
Ideal para aplicaciones de automoción, industria y energías renovables
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