MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVHL023N065M3S, VDSS 650 V, ID 70 A, N, TO-247-4L de 3 pines
- Código RS:
- 327-810
- Referência do fabricante:
- NVHL023N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
14,51 €
Adicione 6 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 450 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 14,51 € |
| 10 - 99 | 13,07 € |
| 100 + | 12,02 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 327-810
- Referência do fabricante:
- NVHL023N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247-4L | |
| Serie | NVH | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 263W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69nC | |
| Tensión directa Vf | 4.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Pb-Free, Halide Free and RoHS with Exemption 7a | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247-4L | ||
Serie NVH | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 263W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69nC | ||
Tensión directa Vf 4.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Pb-Free, Halide Free and RoHS with Exemption 7a | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
ON Semiconductor El MOSFET de carburo de silicio (SiC), EliteSiC, es un dispositivo de 650 V y 23 mΩ en el encapsulado M3S TO-247-3L. Está diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento, ofrece baja resistencia a la conexión y características de conmutación superiores, por lo que es ideal para su uso en aplicaciones exigentes de electrónica de potencia, incluidos los sistemas industriales y de automoción.
Los dispositivos no contienen Pb y cumplen la directiva RoHS
Cualificado para automoción según AEC Q101
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVH4L032N065M3S, VDSS 650 V, ID 50 A, N, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL032N065M3S, VDSS 650 V, ID 51 A, N, TO-247-4L de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVH4L023N065M3S, VDSS 650 V, ID 50 A, N, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L032N065M3S, VDSS 650 V, ID 50 A, N, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L023N065M3S, VDSS 650 V, ID 67 A, Mejora, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 70 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL033N65S3HF, VDSS 650 V, ID 70 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL023N065M3S, VDSS 650 V, ID 70 A, Mejora, TO-247-3L de 3 pines
