MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L013N120M3S, VDSS 1200 V, ID 151 A, Mejora, TO-247-4L de 4 pines
- Código RS:
- 220-567
- Referência do fabricante:
- NTH4L013N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 1 unidade)*
28,06 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 418 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Embalagens | Por Embalagem |
|---|---|
| 1 - 9 | 28,06 € |
| 10 - 99 | 25,25 € |
| 100 + | 23,28 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 220-567
- Referência do fabricante:
- NTH4L013N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 151A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Encapsulado | TO-247-4L | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 254nC | |
| Tensión directa Vf | 4.7V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 682W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5mm | |
| Longitud | 16.2mm | |
| Anchura | 15.6 mm | |
| Certificaciones y estándares | Halide Free and RoHS with Exemption 7a | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 151A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie NTH | ||
Encapsulado TO-247-4L | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 254nC | ||
Tensión directa Vf 4.7V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 682W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5mm | ||
Longitud 16.2mm | ||
Anchura 15.6 mm | ||
Certificaciones y estándares Halide Free and RoHS with Exemption 7a | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Los MOSFET de ON Semiconductor están optimizados para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con voltaje de puerta negativo y apaga los picos en la puerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con accionamiento de puerta de 18 V, pero también funciona bien con accionamiento de puerta de 15 V.
Sin haluros
Compatible con RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L023N065M3S, VDSS 650 V, ID 67 A, Mejora, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L018N075SC1, VDSS 750 V, ID 140 A, Mejora, TO-247-4L de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-247 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 17.3 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 102 A, Mejora, TO-247 de 4 pines