MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L018N075SC1, VDSS 750 V, ID 140 A, Mejora, TO-247-4L de 7 pines
- Código RS:
- 277-041
- Referência do fabricante:
- NTH4L018N075SC1
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 277-041
- Referência do fabricante:
- NTH4L018N075SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 140A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Encapsulado | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 262nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Tensión directa Vf | 4.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 140A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Encapsulado TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 262nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Tensión directa Vf 4.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET SiC de ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de conexión y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.
Carga de puerta ultrabaja
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
100 % a prueba de avalancha
El dispositivo no contiene haluros y cumple la directiva RoHS
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