MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L023N065M3S, VDSS 650 V, ID 67 A, Mejora, TO-247-4L de 4 pines

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Código RS:
277-043
Referência do fabricante:
NTH4L023N065M3S
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

67A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247-4L

Serie

NTH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

23mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

245W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69nC

Tensión directa Vf

6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI

COO (País de Origem):
CN
Los MOSFET SiC de ON Semiconductor están optimizados para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con accionamiento de tensión negativa de puerta y suprime picos en la puerta. Tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con un accionamiento de puerta de 18 V, pero también funciona bien con un accionamiento de puerta de 15 V.

Carga de puerta ultrabaja

Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia

100 % a prueba de avalancha

El dispositivo no contiene haluros y cumple la directiva RoHS

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