Infineon Módulo IGBT, FF75R12RT4HOSA1, Tipo N-Canal, 75 A, 1200 V, módulo de 34 mm, 7 pines Abrazadera
- Código RS:
- 906-3075
- Referência do fabricante:
- FF75R12RT4HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Indisponível
A RS já não fará a reposição deste artigo.
- Código RS:
- 906-3075
- Referência do fabricante:
- FF75R12RT4HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 75A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 395W | |
| Encapsulado | módulo de 34 mm | |
| Tipo de montaje | Abrazadera | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 7 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 94mm | |
| Altura | 30.2mm | |
| Anchura | 34 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 75A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 395W | ||
Encapsulado módulo de 34 mm | ||
Tipo de montaje Abrazadera | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 7 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 94mm | ||
Altura 30.2mm | ||
Anchura 34 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo IGBT, Infineon
La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.
Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Links relacionados
- Módulo IGBT, FP75R12KT4PBPSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, EASY2B 7
- Módulo IGBT, FF150R12RT4HOSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie
- Módulo IGBT, FF100R12RT4HOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie
- IGBT, FP75R12N2T7B11BPSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, Módulo, 31-Pines 7 Trifásico
- IGBT, FP75R12N2T7BPSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, Módulo, 31-Pines 7 Trifásico
- Módulo IGBT, FF150R12RT4HOSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, AG-34MM-1 2 Serie
- IGBT, FP75R12N2T7BPSA2, N-Canal, 75 A, 1.200 V, 31-Pines 7
- Módulo IGBT, FP25R12W2T4PBPSA1, N-Canal, 25 A, 1.200 V, EASY2B 7