Módulo IGBT, FP50R12KT3BOSA1, 75 A, 1200 V, Módulo

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Código RS:
273-7402
Referência do fabricante:
FP50R12KT3BOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

75 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

+/-20V

Disipación de Potencia Máxima

280 W

Tipo de Encapsulado

Módulo

Tipo de Montaje

Montaje en panel

El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor de colector de 1200 V y una corriente de colector dc continua de 50 A. Dispone de una placa base de cobre para una disipación de calor optimizada y un diseño de módulo de inductancia de baja desviación. Este módulo IGBT está disponible con bloqueo rápido de trinchera TRENCHSTOP IGBT3 y NTC.

Resistencia térmica
Alta fiabilidad
Alta densidad de potencia
Pérdidas de conmutación bajas
Concepto de módulo compacto

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