Módulo IGBT, FP75R12KT4B11BOSA1, 75 A, 1200 V 7

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Opções de embalagem:
Código RS:
244-5848
Referência do fabricante:
FP75R12KT4B11BOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

75 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

7

Disipación de Potencia Máxima

385 W

El módulo IGBT de Infineon es adecuado para inversores auxiliares, accionamientos de motor, servoaccionamientos, etc.

Características eléctricas
Bajas pérdidas de conmutación
Tvj op = 150° C
VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
VCEsat baja
Características mecánicas
Capacidad de ciclo térmico y alta potencia
Sensor de temperatura NTC integrado
Placa base de cobre
Tecnología de contacto Pressfit
Carcasa estándar

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