Infineon Módulo IGBT, 75 A, 1200 V 7

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Código RS:
244-5834
Referência do fabricante:
FP50R12KE3BOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

75A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

7

Disipación de potencia máxima Pd

280W

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.15V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Serie

FP50R12KE3

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor-colector nominal máxima de 1.200 V y una disipación de potencia total de 280 W, así como una tensión de umbral de puerta máxima de 6,5 V.

Aislamiento interno aislamiento básico (clase 1, IEC 61140)

Tensión de pico del emisor de puerta +/- 20 V

Tensión de saturación del emisor-colector 2,30 V

Corriente de fuga del emisor de puerta 400 nA

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