Módulo transistor IGBT, SKM75GB12F4, 75 A, 1200 V 2
- Código RS:
- 248-6710
- Referência do fabricante:
- SKM75GB12F4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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- Código RS:
- 248-6710
- Referência do fabricante:
- SKM75GB12F4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±15.0V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Configuración | Medio puente | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±15.0V | ||
Número de transistores 2 | ||
Configuración Medio puente | ||
El módulo IGBT de la serie SEMITRANS de Semikron tiene un colector de 1.200 V para la tensión de emisión. Se utiliza principalmente en SAI, soldadores electrónicos, calefacción inductiva, fuentes de alimentación de modo conmutado.
Mayor capacidad de ciclo de potencia
Placa base de cobre aislada con tecnología DBC (cobre unido directamente)
Para frecuencias de conmutación superiores a 15 kHz
Placa base de cobre aislada con tecnología DBC (cobre unido directamente)
Para frecuencias de conmutación superiores a 15 kHz
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