Infineon Módulo IGBT, 1200 V, EconoPIM 7

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Código RS:
244-5851
Referência do fabricante:
FP75R12KT4BOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

385W

Número de transistores

7

Encapsulado

EconoPIM

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.15V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

17mm

Longitud

122mm

Serie

FP75R12KT4B

Anchura

62.5 mm

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor-colector nominal máxima de 1.200 V y una disipación de potencia total de 355 W, así como una tensión de umbral de puerta máxima de 6,5 V.

Aislamiento interno aislamiento básico (clase 1, IEC 61140)

Tensión de pico del emisor de puerta +/- 20 V

Tensión de saturación del emisor-colector 2,15 V

Corriente de fuga del emisor de puerta 400 nA

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