Infineon Módulo IGBT, FP25R12W2T4BOMA1, 1200 V 7
- Código RS:
- 244-5394
- Referência do fabricante:
- FP25R12W2T4BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
47,65 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 12 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 1 | 47,65 € |
| 2 - 4 | 46,69 € |
| 5 + | 42,02 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-5394
- Referência do fabricante:
- FP25R12W2T4BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 175W | |
| Número de transistores | 7 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 42.5mm | |
| Longitud | 51mm | |
| Altura | 12mm | |
| Serie | FP25R12W2T4B | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 175W | ||
Número de transistores 7 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 42.5mm | ||
Longitud 51mm | ||
Altura 12mm | ||
Serie FP25R12W2T4B | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo IGBT serie FP25R12W2T4B de Infineon, tensión de colector-emisor de 1200 V, disipación de potencia de 175 W - FP25R12W2T4BOMA1
Este módulo IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia diseñado para conmutar y controlar cargas dc y ac de alta tensión en aplicaciones industriales. Combina varios elementos de conmutación en un único encapsulado compacto para gestionar una disipación de potencia significativa al tiempo que funciona en un amplio rango de temperatura ambiente.
Características y ventajas:
• Valor nominal de colector-emisor de 1200 V para capacidad de conmutación de alta tensión
• Disipación de potencia máxima de 175 W para soportar cargas térmicas elevadas
• VCE(sat) 2,25 V para reducir las pérdidas de conducción durante el estado activado
• Emisor de puerta resistente a 20 V para proteger las entradas de control
• Configuración de siete transistores para admitir disposiciones de conmutación complejas
• Funcionamiento de -40 a 150 °C para una amplia capacidad térmica
• Disipación de potencia máxima de 175 W para soportar cargas térmicas elevadas
• VCE(sat) 2,25 V para reducir las pérdidas de conducción durante el estado activado
• Emisor de puerta resistente a 20 V para proteger las entradas de control
• Configuración de siete transistores para admitir disposiciones de conmutación complejas
• Funcionamiento de -40 a 150 °C para una amplia capacidad térmica
Aplicaciones
• Apto para etapas de inversor de tracción en sistemas de conversión de potencia
• Ideal para controladores de motores industriales que requieren dispositivos de alta tensión
• Se utiliza con SAI de media tensión y sistemas de reserva de alimentación
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de soldadura que necesitan interruptores robustos
• Se utiliza para inversores de energía renovable que manejan tensiones dc elevadas
• Ideal para controladores de motores industriales que requieren dispositivos de alta tensión
• Se utiliza con SAI de media tensión y sistemas de reserva de alimentación
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de soldadura que necesitan interruptores robustos
• Se utiliza para inversores de energía renovable que manejan tensiones dc elevadas
¿Qué temperatura de unión máxima puede tolerar el dispositivo?
La temperatura máxima de funcionamiento especificada es de 150 °C.
¿Cuántos elementos de conmutación están integrados en el paquete?
El módulo contiene siete transistores integrados en una sola unidad.
¿Qué certificación o norma ambiental se observa para el cumplimiento de los materiales?
La unidad cumple los requisitos RoHS, lo que indica la conformidad con sustancias peligrosas restringidas.
¿Qué huella física debe permitirse para la disposición de PCB o disipadores térmicos?
El módulo mide 42,5 mm de ancho, 51 mm de largo y 12 mm de alto.
Links relacionados
- Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP10R12W1T4BOMA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP15R12W1T4BOMA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP100R12KT4B11BOSA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP25R12W2T4B11BOMA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP75R12KT4B11BOSA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP100R12KT4BOSA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, 1200 V, EconoPIM 7