Módulo IGBT, FP25R12W2T4BOMA1, 39 A, 1200 V 7

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Código RS:
244-5392
Referência do fabricante:
FP25R12W2T4BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

39 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

+/-20V

Disipación de Potencia Máxima

175 W

Número de transistores

7

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF

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