Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7

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Código RS:
244-5392
Referência do fabricante:
FP25R12W2T4BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

7

Disipación de potencia máxima Pd

175W

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.25V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

51mm

Altura

12mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

42.5 mm

Serie

FP25R12W2T4B

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT Infineon tiene una corriente de colector Peak repetitiva nominal máxima de 50 A y una tensión de saturación máxima de colector-emisor de 2,25 V, una tensión de umbral de puerta de 6,4 V.

Corriente de desconexión colector-emisor: 1,0 mA

Temperatura en condiciones de conmutación: 150 °C.

Corriente de fuga de emisor de puerta: 400 nA

Capacitancia de transferencia inversa: 0,05 NF

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