Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7

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Código RS:
244-5846
Referência do fabricante:
FP75R12KT4B11BOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

385W

Número de transistores

7

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.15V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

17mm

Longitud

122mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

FP75R12KT4B11B

Anchura

62 mm

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT de Infineon es adecuado para inversores auxiliares, accionamientos de motor, servoaccionamientos, etc.

Características eléctricas

Bajas pérdidas de conmutación

Tvj op = 150° C

VCEsat con coeficiente de temperatura positivo

VCEsat baja

Características mecánicas

Capacidad de ciclo térmico y alta potencia

Sensor de temperatura NTC integrado

Placa base de cobre

Tecnología de contacto Pressfit

Carcasa estándar

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