Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7

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Código RS:
244-5374
Referência do fabricante:
FP100R12KT4B11BOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

515W

Número de transistores

7

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Serie

FP100R12KT4B11

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

17mm

Longitud

122mm

Anchura

62 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
HU
El módulo IGBT Infineon es adecuado para inversores auxiliares, variadores de motor y servoaccionadores, etc.

Características eléctricas

Pérdidas de conmutación bajas

TVJ op = 150° C.

VCEsat con coeficiente de temperatura positivo

Baja VCEsat

Características mecánicas

Alta potencia y capacidad de ciclo térmico

Sensor de temperatura NTC integrado

Placa base de cobre

Tecnología de contacto Pressfit

Carcasa estándar

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