Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7
- Código RS:
- 244-5385
- Referência do fabricante:
- FP15R12W1T4BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (24 unidades, em tabuleiro de 24)*
637,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 08 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | 26,55 € | 637,20 € |
| 48 + | 25,222 € | 605,33 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-5385
- Referência do fabricante:
- FP15R12W1T4BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Número de transistores | 7 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 12mm | |
| Longitud | 62.8mm | |
| Serie | FP15R12W1T4B | |
| Anchura | 33.8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Número de transistores 7 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 12mm | ||
Longitud 62.8mm | ||
Serie FP15R12W1T4B | ||
Anchura 33.8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo IGBT serie FP15R12W1T4B de Infineon, tensión de colector-emisor de 1200 V, disipación de potencia de 130 W - FP15R12W1T4BOMA1
Este módulo IGBT es un conjunto de semiconductores de potencia diseñado para conmutar y controlar cargas dc de alta tensión en electrónica de potencia industrial. Proporciona capacidad de conmutación controlada para entornos térmicos y eléctricos exigentes, funcionando en un amplio rango de temperaturas y conforme a los requisitos RoHS.
Características y ventajas:
• La tensión nominal Vceo de 1200 V proporciona capacidad de conmutación de alta tensión
• La disipación de potencia de hasta 130 W permite una gestión sostenida de la carga térmica
• La resistencia del emisor de puerta de hasta 20 V admite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La saturación colector-emisor de 2,25 V reduce las pérdidas por conducción
• Siete transistores proporcionan conmutación de varios dispositivos en un encapsulado
• La disipación de potencia de hasta 130 W permite una gestión sostenida de la carga térmica
• La resistencia del emisor de puerta de hasta 20 V admite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La saturación colector-emisor de 2,25 V reduce las pérdidas por conducción
• Siete transistores proporcionan conmutación de varios dispositivos en un encapsulado
Aplicaciones
• Apto para etapas de inversor de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza con sistemas de conversión dc-dc de alta tensión
• Ideal para la corrección del factor de potencia y las etapas de conmutación suave
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado en servicios públicos
• Se utiliza para convertidores industriales y de tracción de media frecuencia
• Se utiliza con sistemas de conversión dc-dc de alta tensión
• Ideal para la corrección del factor de potencia y las etapas de conmutación suave
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado en servicios públicos
• Se utiliza para convertidores industriales y de tracción de media frecuencia
¿A qué temperaturas ambiente puede funcionar de manera fiable?
Mantiene el funcionamiento a temperaturas de −40 °C hasta 150 °C.
¿Cómo aborda el módulo las restricciones de sustancias peligrosas?
Está fabricado para cumplir con la normativa RoHS para materiales restringidos.
¿Cuáles son las consideraciones sobre el espacio de montaje externo?
El encapsulado mide 33,8 x 62,8 x 12 mm para planificar el tamaño y la altura.
¿Cuántos interruptores de semiconductores están integrados en el paquete?
La construcción incluye siete transistores individuales.
¿Qué rendimiento de conducción se puede esperar bajo carga?
Espera una tensión de saturación de colector-emisor máxima de 2,25 V durante la conducción.
Links relacionados
- Infineon Módulo IGBT, FP15R12W1T4BOMA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP10R12W1T4BOMA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP100R12KT4B11BOSA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP25R12W2T4B11BOMA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP75R12KT4B11BOSA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP25R12W2T4BOMA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP100R12KT4BOSA1, 1200 V 7