Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7

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Código RS:
244-5385
Referência do fabricante:
FP15R12W1T4BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Número de transistores

7

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.25V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

33.8 mm

Longitud

62.8mm

Serie

FP15R12W1T4B

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

12mm

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT Infineon es adecuado para inversores auxiliares, controladores de motor y aire acondicionado, etc.

Características eléctricas

Pérdidas de conmutación bajas, diseño inductivo bajo

IGBT Trench 3

VCEsat con coeficiente de temperatura positivo

Baja VCEsat

Características mecánicas

Sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica

Diseño compacto

Tecnología de contacto de soldadura

Montaje resistente gracias a las abrazaderas de montaje integradas

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