Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7
- Código RS:
- 244-5389
- Referência do fabricante:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-5389
- Referência do fabricante:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 175W | |
| Número de transistores | 7 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.25V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | FP25R12W2T4B11B | |
| Anchura | 42.5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 51mm | |
| Altura | 12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 175W | ||
Número de transistores 7 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.25V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie FP25R12W2T4B11B | ||
Anchura 42.5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 51mm | ||
Altura 12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo IGBT serie FP25R12W2T4B11B de Infineon, disipación de potencia máxima de 175 W, tensión de emisor-colector máx. de 1200 V - FP25R12W2T4B11BOMA1
Este módulo IGBT es un dispositivo de conmutación de potencia de alta tensión diseñado para aplicaciones industriales exigentes. Combina varios transistores en un único encapsulado para gestionar altas tensiones de colector-emisor y una disipación de potencia significativa al tiempo que funciona en un amplio rango de temperaturas.
Características y ventajas:
• Admite una tensión de emisor-colector de 1200 V para sistemas de alta tensión
• Gestiona una disipación de potencia máxima de 175 W para cargas sostenidas
• Funciona hasta 150 °C para ciclos de trabajo de alta temperatura
• Siete transistores en un módulo para simplificar el diseño de circuitos
• Baja tensión de saturación de 2,25 V para reducir las pérdidas por conducción
• Valor nominal de la puerta-emisor de 20 V para adaptarse a los niveles de accionamiento comunes
• Gestiona una disipación de potencia máxima de 175 W para cargas sostenidas
• Funciona hasta 150 °C para ciclos de trabajo de alta temperatura
• Siete transistores en un módulo para simplificar el diseño de circuitos
• Baja tensión de saturación de 2,25 V para reducir las pérdidas por conducción
• Valor nominal de la puerta-emisor de 20 V para adaptarse a los niveles de accionamiento comunes
Aplicaciones
• Apto para accionamientos de motor industriales que requieren conmutación de alta tensión
• Ideal para convertidores de potencia en sistemas de energía renovable
• Se utiliza con etapas de inversor en grandes instalaciones HVAC
• Se puede utilizar para sistemas de alimentación auxiliar de tracción
• Adecuado para entornos de alta temperatura en la industria pesada
• Ideal para convertidores de potencia en sistemas de energía renovable
• Se utiliza con etapas de inversor en grandes instalaciones HVAC
• Se puede utilizar para sistemas de alimentación auxiliar de tracción
• Adecuado para entornos de alta temperatura en la industria pesada
¿Qué rango ambiental puede soportar?
Está especificado para funcionar hasta −40 °C y hasta 150 °C.
¿Cómo afecta el límite del emisor de puerta a la selección del controlador?
Los controladores de puerta no deben superar el valor nominal del emisor de puerta de 20 V para evitar sobretensión.
¿Qué característica eléctrica reduce la pérdida de energía durante la conducción?
La tensión de saturación de colector-emisor del módulo de 2,25 V limita las pérdidas por conducción.
¿Cuántos elementos de conmutación están integrados en el paquete?
El módulo contiene siete transistores discretos dentro de una sola carcasa.
¿Es adecuado el producto para una fabricación con restricciones ambientales?
Cumple los requisitos RoHS y, por tanto, cumple con las restricciones de proceso sin plomo.
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