Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7
- Código RS:
- 244-5383
- Referência do fabricante:
- FP10R12W1T4BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (24 unidades, em tabuleiro de 24)*
466,32 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 08 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | 19,43 € | 466,32 € |
| 48 + | 18,458 € | 442,99 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-5383
- Referência do fabricante:
- FP10R12W1T4BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 7 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 105W | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 62.8mm | |
| Altura | 12mm | |
| Serie | FP10R12W1T4B | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 33.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 7 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 105W | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 62.8mm | ||
Altura 12mm | ||
Serie FP10R12W1T4B | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 33.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo IGBT serie FP10R12W1T4B de Infineon, tensión máxima de colector-emisor de 1200 V, disipación de potencia máxima de 105 W - FP10R12W1T4BOMA1
Este módulo IGBT es un conjunto de semiconductores de alta tensión diseñado para conmutar y controlar la potencia en electrónica industrial. Proporciona un funcionamiento robusto en un amplio rango térmico y es adecuado para sistemas que requieren un bloqueo de tensión considerable y una disipación de potencia moderada. El dispositivo está diseñado para aplicaciones que requieren una conmutación fiable a temperaturas elevadas, al tiempo que cumple las restricciones de materiales RoHS.
Características y ventajas:
• La capacidad de bloqueo de 1200 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La disipación de potencia de 105 W permite una carga térmica sostenida
• La configuración de 7 transistores aumenta la densidad de conmutación por encapsulado
• La potencia nominal del emisor de puerta de 20 V admite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• El VCE(sat) de 2,25 V típico reduce las pérdidas de conducción durante el estado de conexión
• Funciona hasta 150 °C para entornos de alta temperatura
• La disipación de potencia de 105 W permite una carga térmica sostenida
• La configuración de 7 transistores aumenta la densidad de conmutación por encapsulado
• La potencia nominal del emisor de puerta de 20 V admite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• El VCE(sat) de 2,25 V típico reduce las pérdidas de conducción durante el estado de conexión
• Funciona hasta 150 °C para entornos de alta temperatura
Aplicaciones
• Apto para etapas de inversor de motor industrial
• Ideal para convertidores de energía renovable de potencia media
• Se utiliza con fuentes de alimentación que requieren conmutación de alta tensión
• Puede utilizarse para convertidores auxiliares de tracción
• Apto para etapas de potencia de calefacción por inducción
• Ideal para convertidores de energía renovable de potencia media
• Se utiliza con fuentes de alimentación que requieren conmutación de alta tensión
• Puede utilizarse para convertidores auxiliares de tracción
• Apto para etapas de potencia de calefacción por inducción
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar con fiabilidad?
Funciona a un mínimo de −40 °C hasta un máximo de 150 °C.
¿Cuál es la capacidad máxima de tensión de colector-emisor?
El dispositivo admite hasta 1200 V entre el colector y el emisor.
¿Cuánta potencia puede disipar el módulo bajo carga?
Puede disipar un máximo de 105 W de potencia.
¿Qué límite de tensión de accionamiento de puerta debe respetarse?
La tensión del emisor de puerta no debe exceder los 20 V.
¿El módulo cumple las normas ambientales habituales?
Cumple los requisitos RoHS para sustancias restringidas.
Links relacionados
- Infineon Módulo IGBT, FP10R12W1T4BOMA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP15R12W1T4BOMA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP100R12KT4B11BOSA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP25R12W2T4B11BOMA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP75R12KT4B11BOSA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP25R12W2T4BOMA1, 1200 V 7
- Infineon Módulo IGBT, FP100R12KT4BOSA1, 1200 V 7