Módulo IGBT, F475R06W1E3BOMA1, 100 A, 600 V 4
- Código RS:
- 244-5369
- Referência do fabricante:
- F475R06W1E3BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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| 48 + | 32,321 € | 775,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-5369
- Referência do fabricante:
- F475R06W1E3BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 100 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 275 W | |
| Número de transistores | 4 | |
| Configuración | Emisor-colector, cuádruple (2 x doble) | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 100 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 275 W | ||
Número de transistores 4 | ||
Configuración Emisor-colector, cuádruple (2 x doble) | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, UPS systems, inductive heating and welding and solar applications etc.
Electrical features
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
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