Infineon IGBT de conducción inversa, IHW50N65R6XKSA1, Tipo N-Canal, 83 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo IGBT
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

6,10 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 136 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 183,05 €6,10 €
20 - 482,75 €5,50 €
50 - 982,56 €5,12 €
100 - 1982,38 €4,76 €
200 +2,225 €4,45 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
225-0576
Referência do fabricante:
IHW50N65R6XKSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

IGBT de conducción inversa

Corriente continua máxima de colector Ic

83A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

251W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

TrenchStop

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon IHW50N65R6 es el IGBT de 650 V, 50 A con diodo integrado monolíticamente en encapsulado TO-247 con diodo integrado monolíticamente diseñado para cumplir los requisitos exigentes de aplicaciones de calentamiento de inducción usando topología resonante de medio puente.

Rango de frecuencia: 20-75 kHz

EMI bajo

Distribución de parámetros muy ajustada

TJ de funcionamiento máximo de 175 °C.

Links relacionados