IGBT, IHW30N65R6XKSA1, 65 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines
- Código RS:
- 225-0572
- Referência do fabricante:
- IHW30N65R6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,594 € | 12,97 € |
| 25 - 45 | 2,334 € | 11,67 € |
| 50 - 120 | 2,178 € | 10,89 € |
| 125 - 245 | 2,02 € | 10,10 € |
| 250 + | 1,894 € | 9,47 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 225-0572
- Referência do fabricante:
- IHW30N65R6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 65 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±30V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 160 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-3 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 65 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±30V | ||
Disipación de Potencia Máxima 160 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247-3 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El Infineon IHW30N65R6 es el IGBT de 650 V, 30 A con diodo integrado monolíticamente en encapsulado TO-247 con diodo integrado monolíticamente diseñado para cumplir los requisitos exigentes de aplicaciones de calentamiento de inducción usando topología resonante de medio puente.
Alta resistencia y comportamiento de temperatura estable
EMI bajo
Chapado de cable sin Pb; compatible con RoHS
Diodo de conducción inversa monolítico potente con baja tensión directa
EMI bajo
Chapado de cable sin Pb; compatible con RoHS
Diodo de conducción inversa monolítico potente con baja tensión directa
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