IGBT, IHW50N65R6XKSA1, 83 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines
- Código RS:
- 225-0575
- Referência do fabricante:
- IHW50N65R6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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396,96 €
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Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | 1,654 € | 396,96 € |
| 480 + | 1,571 € | 377,04 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 225-0575
- Referência do fabricante:
- IHW50N65R6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 83 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 251 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-3 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 83 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 251 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247-3 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El Infineon IHW50N65R6 es el IGBT de 650 V, 50 A con diodo integrado monolíticamente en encapsulado TO-247 con diodo integrado monolíticamente diseñado para cumplir los requisitos exigentes de aplicaciones de calentamiento de inducción usando topología resonante de medio puente.
Rango de frecuencia: 20-75 kHz
EMI bajo
Distribución de parámetros muy ajustada
TJ de funcionamiento máximo de 175 °C.
EMI bajo
Distribución de parámetros muy ajustada
TJ de funcionamiento máximo de 175 °C.
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