Infineon IGBT de conducción inversa, Tipo N-Canal, 83 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:
225-0575
Referência do fabricante:
IHW50N65R6XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

IGBT de conducción inversa

Corriente continua máxima de colector Ic

83A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

251W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

TrenchStop

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon IHW50N65R6 es el IGBT de 650 V, 50 A con diodo integrado monolíticamente en encapsulado TO-247 con diodo integrado monolíticamente diseñado para cumplir los requisitos exigentes de aplicaciones de calentamiento de inducción usando topología resonante de medio puente.

Rango de frecuencia: 20-75 kHz

EMI bajo

Distribución de parámetros muy ajustada

TJ de funcionamiento máximo de 175 °C.

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