IGBT, IHW50N65R5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines
- Código RS:
- 215-6646
- Referência do fabricante:
- IHW50N65R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,25 € | 6,50 € |
| 20 - 48 | 2,925 € | 5,85 € |
| 50 - 98 | 2,73 € | 5,46 € |
| 100 - 198 | 2,535 € | 5,07 € |
| 200 + | 1,625 € | 3,25 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 215-6646
- Referência do fabricante:
- IHW50N65R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 282 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-3 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 282 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247-3 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conducción inversa con diodo de cuerpo monolítico.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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